Mosfet canal N de montaje superficial. Es de bajo voltaje de funcionamiento lo que lo hace útil para productos portatiles y que funcionan con baterías.

Características:

• Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds: 50V
• Corriente – consumo continuo Id: 220mA
• Resistencia entre drenaje y fuente Rds On: 3Ohm a 500mA, 10V
• Tensión entre puerta y fuente Vgs: - 20 V, + 20 V
• Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs th máx.:
• Disipación de potencia Dp: 350mW
• Polaridad: N
• Encapsulado: SOT-23-3
• Montaje superficial SMD

Datos técnicos:

Palabras claves:transistor mosfet, canal N