Transistor MOSFET PMOS-dual.

Características:

• Número de canales: 2
• Tipo: Canal-P
• Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 30V
• Id - Continuous Drain Current: - 6.9A
• Rds On - Drain-Source Resistance: 45mΩ
• Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 2.1V
• Vgs - Gate-Source Voltage: 20V
• Rango de operación de temperatura: - 55°C ~ 150°C
• Encapsulado: SO-8

Nota: La imagen se usa solo como referencia.

Hoja de datos:

Palabras claves: transistor Mosfet dual, canal P, SMD