Transistor PNP. Encapsulado TO-3P. Usado en aplicaciones de amplificación de alta potencia. B817 E 4A3
Características:
- Voltaje colector emisor: -140V máximo
- Voltaje colector base: -160V máximo
- Corriente de colector: -12A máximo
- Disipación total: 120W
- Temperatura de operación: hasta 150°C
- Encapsulado: TO-3P
Datos técnicos
Es complementario con el transistor NPN 2SD1047
Palabras claves:transistor PNP, alta potencia, TO-3P