Transistor de canal N. Utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Características:

• Voltaje Drain-Source máximo: 603V
• Corriente Drain máxima: 2A
• Resistencia Drain-Source On-State máxima: 3.2Ohm
• Máxima potencia de disipación: 25W @ 25°C
• Tipo de canal de control: canal-N
• Temperatura de operación máxima: 150°C
• Número de pines: 3
• Encapsulado: TO-220F
• Montaje through hole

[La imagen sólo se usa como referencia]

Palabras claves:transistor mosfet, canal N, TO-220F