Mosfet de doble canal N de montaje superficial.VDS:20V. De rápida velocidad de suicheo.

Características:

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
• Corriente-consumo continuo (Id) a 25°C: 2.7A (Ta)
• Rds On (máx) @ Id, Vgs: 80mOhm a 2.7A, 4.5V
• Vgs(th) (máx) @ Id: 1.5V a 250µA
• Vgs (máx.): ±8V
• Disipación de potencia (Máx.): 700mW (Ta)
• Polaridad: N
• Encapsulado: SOT-23-6
• Configuración: 2 canales N
• Montaje superficial SMD

Palabras claves:transistor mosfet, doble canal, N