Transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de canal N ideal para aplicaciones convertidores de alta frecuencia y control de motores.

Características:

• Corriente del colector DC máxima (Ic): 20A
• Máximo voltaje colector-emisor (VCEO): 600V
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2V
• Disipación total del dispositivo (Pc): 32W
• Tipo: canal N
• Número de pines: 3
• Montaje through hole
• Encapsulado: TO220F 

[La imagen sólo se usa como referencia]

Palabras claves:transistor IGTB, canal N