Transistor mosfet de suicheo rápido, extremadamente eficiente y confiable, puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.

Características:

• Drain Current (ID): 84A
• Drain-to-Source Breakdown Voltage (VDSS): 60V
• Drain-to-Gate Voltage (VDGR): 60V
• Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20V
• Potencia máxima disipada (PD): 200W
• Canal N
• Encapsulado: TO220AB

[La imagen sólo se usa como referencia]

Palabras claves:transistor mosfet, canal N