Transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada)de canal N ideal para aplicaciones de electrónica y convertidores de alta frecuencia. 

Características:

• Corriente del colector DC máxima (Ic): 80A
• Máximo voltaje colector-emisor (VCEO): 600V
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95
• Disipación total del dispositivo (Pc): 306W
• Tipo: canal N
• Número de pines: 3
• Montaje through hole
• Encapsulado: TO-3P (TO-247)

[La imagen sólo se usa como referencia]

Palabras claves:transistor IGTB, canal N