Transistor Darlington NPN, con bajo voltaje de saturación Colector-Emisor. Es del tipo bipolar de propósito general, diseñado para la amplificación y la conmutación de baja velocidad. Complementario del transistor TIP126.

Características:

• Voltaje de ruptura Colector-Emisor: 80V
• Voltaje de saturación Colector-Emisor: 2V @ Ib=12mA, Ic=3A
• Corriente máxima de Colector: 5A
• Ganancia de corriente DC: 1000 @ Ic=3A, Vce=3V
• Máxima disipación de potencia: 65W
• Encapsulado: TO-220

Palabras claves:transistor NPN darlington, transistores