Transistor NPN. Encapsulado TO-3P. Usado en aplicaciones de amplificación de alta potencia.
Características:
- Voltaje colector emisor: 140V máximo
- Voltaje colector base: 200V máximo
- Corriente de colector: 12A máximo
- Disipación total: 100W
- Temperatura de operación: hasta 150°C
- Encapsulado: TO-3P
Datos técnicos
Es complementario con el transistor PNP 2SB817
Palabras claves:transistor NPN, alta potencia, TO-3P