Transistor mosfet canal N de montaje superficial, 30V, 42A. Puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones con sistemas de inversión de potencia.
Características:
- Continuous Drain Current, ID 42A @ 25C
- Drain-to-Source Voltage, VDSS: 30V máximo
- Power dissipation: 30W
- Encapsulado: TO-252-2L
Palabras claves: transistor, Mosfet, canal N, TO-252-2L
HY1403D datasheet.pdf
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