Mosfet canal P de montaje superficial.VDS:60V

Características:

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
• Corriente-consumo continuo (Id) a 25°C: 196mA (Ta)
• Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 4.5V, 10V
• Rds On (máx) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs(th) (máx) a Id: 3V @ 250µA
• Vgs (máx.): ±20V
• Disipación de potencia (Máx.): 347W (Ta)
• Polaridad: P
• Encapsulado: SOT-23-3
• Montaje superficial SMD

Palabras claves:transistor mosfet, canal P